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看專家如何判定內存芯片節點制程等級

來源:未知 作者:王月寶 責任編輯:admin 發表時間:2018-07-26 12:08 閱讀:
核心提示:當初三星公司宣布自己將成為市場上首家推出“30nm級別“DDR3內存芯片產品的公司時,UBM TechInsights網站的分析師便開始焦急地等待對這款產品的實物進行分析的機會,如今他們終于得償所愿,得到了三星這款編號為 K4B2G0846D的芯片產品實物。

當初三星公司宣布自己將成為市場上首家推出“30nm級別“DDR3內存芯片產品的公司時,UBM TechInsights網站的分析師便開始焦急地等待對這款產品的實物進行分析的機會,如今他們終于得償所愿,得到了三星這款編號為 K4B2G0846D的芯片產品實物。話題的焦點基本聚集在驗證韓國人”30nm級別“的說法是否有理有據,他們的產品又是如何做到這點的這兩個問題上。

當然,目前廠商衡量節點關鍵尺寸的方法有很多種,有些廠商喜歡用柵極長度為節點制程的代號,而有些廠商如Intel則比較強調柵極距(pitch)的尺寸,此前臺積電的40nm工藝便曾經引起過相當的爭議,因此判斷這個問題比較令人信服的方法應該是全面考察這款芯片各部分結構的尺寸,而不是僅僅關注產品中的某種尺寸參數是否滿足要求。

那么,采用這種分析方法來分析三星的這款最新內存芯片產品,會得到什么樣的結果呢?為了更好地理解三星這款新產品,我們先來看一組該產品與其它幾款DDR3芯片產品的尺寸對比數據:

表中我們可以發現一個很有趣的情況,那就是各廠商產品中不同種類半節距尺寸的比值不盡相同,而且這些半節距尺寸與晶體管單元面積的比例關系也各有不同。比如三星公司的產品其淺槽隔離結構的半節距尺寸比字線半節距尺寸明顯小一些,而鎂光公司的產品情況則恰好相反。

無論如何,芯片廠商升級制程的最終目的應該是縮減單元晶體管的占地面積。從這點上看,三星目前的領先地位是比較明顯的。那么他們是如何做到這一點的呢?從上表中我們可以看到,三星各代產品通常會選擇將產品的單個特征尺寸進行縮減,將淺槽隔離部分的特征尺寸減少如此多的數值在工程上而言其難度是相當大的。

不過,稍微令我們失望的是,除此之外三星的這款新芯片在晶體管單元結構方面并沒有發生多大變化,因此單元晶體管配置方面應該仍然遵循6F2的架構設計,盡管如此其晶體管單元面積仍可相對同樣來自三星的48nm產品減小38%,相比鎂光的42nm產品則縮減24%左右。(責任編輯:admin)

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