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聯發科技:TD-LTE芯片研發引入競爭擴大市場需求

來源:通信產業報 作者:盧子月 責任編輯:王月寶 發表時間:2011-07-11 08:19 閱讀:
核心提示:媒體:目前,終端芯片的發展趨勢有哪些? 呂向正:TD終端芯片的發展趨勢主要體現在以下五個方面: 1、調制解調器(Modem):向HSPA升級,并進一步往HSPA+發展。HSPA+是新型高速分組接入(HSPA)無線寬帶技術,可提供比3G網絡更高的數據吞吐能力。 2、時尚多媒體:

媒體:目前,終端芯片的發展趨勢有哪些?

呂向正:TD終端芯片的發展趨勢主要體現在以下五個方面:

1、調制解調器(Modem):向HSPA升級,并進一步往HSPA+發展。HSPA+是新型高速分組接入(HSPA)無線寬帶技術,可提供比3G網絡更高的數據吞吐能力。

2、時尚多媒體:支持更高像素(200萬~500萬)的攝像頭、3.2英寸HVGA高清大屏幕和中國移動多媒體廣播(CMMB,以TD終端為主)。

3、移動互聯網:蘋果產品(iPhone、iPad)的流行以及中國移動廣布WiFi熱點,使無線互聯網和WiFi接入逐漸成為TD終端芯片必須支持的個人隨身熱點應用。

4、用戶體驗:類智能用戶界面(UI)需求,包括3D畫面和全網頁瀏覽器,全面提升用戶的互聯網體驗。

5、近距離通訊(NFC):其應用技術也是TD熱門發展趨勢之一。

媒體:目前,備受國內關注的TD-LTE的終端芯片相對其它三種芯片還需要在哪些方面提高?TD-LTE終端芯片未來的發展路徑是什么?

呂向正:不同制式網絡的終端芯片發展速度不同。

EVDO:該技術僅為極少數的芯片廠商所獨占,芯片產品從現有的Rev.A向Rev.C進展,但其中領先的廠商也開始支持多模FDD-LTE。

TD-LTE:芯片從單模發展到多模,而且向下與現有的GSM、TD-SCDMA等技術相兼容。目前各方都在做積極的技術準備。FDD-LTE:芯片在歐美與日本開始小規模地進入商用,向下也支持2G/3G技術,已從3GPPR8發展到了R9標準。

TD-LTE終端芯片首先要擴大市場需求,才能擁有像HSPA+或EVDO一樣的經濟規模,從而加速技術演進,最終達到成本收益目標。TD-LTE終端芯片未來的發展路徑勢必是更高集成度、更低功耗和更低成本的方向;多模多頻必將成為主流。

媒體:目前,TD-LTE終端芯片的發展還面臨哪些挑戰?

呂向正:除了常見的終端發熱與功耗過高等等情況,TD-LTE的Band40和Band7信號與ISMBand過于接近也是一個突出的難題,這會導致LTE信號與藍牙(Bluetooth)或Wi-Fi信號互相干擾。此外,日后支持國際漫游的頻段,智能終端合理的成本與大小,兼顧產品性能的同時又要兼顧許多天線與射頻通訊模塊的設計,此類種種都將是TD-LTE終端芯片發展的挑戰。

媒體:TD-LTE商用時,將會面對中國聯通和中國電信的3G網絡的競爭,在終端芯片方面,TD-LTE終端芯片在競爭中有哪些優勢?

呂向正:TD-LTE芯片的優勢在于中國至今已有不少廠商投入TD-LTE技術的發展,在產業自主化與對國際標準的掌握上,已經具有了相當優勢。從長期來看,國內TD-LTE芯片的自主研發可避免傳統3G技術任由國外大廠控制宰割的局面。

就TD-LTE而言,首先需要相當長的時間與巨額的成本來廣泛建設基站;單模TD-LTE芯片的應用與市場有限,必須要多模才能適合移動智能終端的發展。

使用UMTS/HSPA的中國聯通和使用CDMA/EVDO的中國電信,兩者皆有龐大的國際市場與相應的供貨商產業鏈。面對來自兩者的激烈競爭,中國移動在推廣TD-LTE時必須將蛋糕做大,吸引同時具備GSM、TD-SCDMA、LTE和WiFi等技術的芯片廠家進入市場,后來的新技術才會有競爭力。

(責任編輯:王月寶)

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